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GXF-215B 数显式硅酸根分析仪

更新时间:2022-09-01

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厂商性质:生产厂家

生产地址:

简要描述:
GXF-215B 数显式硅酸根分析仪
测量范围0~50.0μg/LsiO2
基本误差≤±2.0μg/L
重复性误差≤±0.2μg/L
短期漂移(30分钟)≤±0.2μg/L
长期漂移(24小时)≤±2.0μg/L
化学方法硅钼兰光度法GB 12150—89

GXF-215B 数显式硅酸根分析仪

GXF-215B 数显式硅酸根分析仪(0~50.0μg/LsiO2)

测量范围  0~50.0μg/LsiO2 

基本误差≤±2.0μg/L

重复性误差≤±0.2μg/L

短期漂移(30分钟)≤±0.2μg/L

长期漂移(24小时)≤±2.0μg/L

化学方法硅钼兰光度法GB 12150—89


GXF-215B 数显式硅酸根分析仪


GXF-215B 数显式硅酸根分析仪(0~50.0μg/LsiO2)

测量范围  0~50.0μg/LsiO2 

基本误差≤±2.0μg/L

重复性误差≤±0.2μg/L

短期漂移(30分钟)≤±0.2μg/L

长期漂移(24小时)≤±2.0μg/L

化学方法硅钼兰光度法GB 12150—89



GXF-215B 数显式硅酸根分析仪


GXF-215B 数显式硅酸根分析仪(0~50.0μg/LsiO2)


测量范围  0~50.0μg/LsiO2 

基本误差≤±2.0μg/L

重复性误差≤±0.2μg/L

短期漂移(30分钟)≤±0.2μg/L

长期漂移(24小时)≤±2.0μg/L

化学方法硅钼兰光度法GB 12150—89



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